Оперативная память
Оперативная память Team T-Create Expert 2x16ГБ DDR5 7200 МГц CTCWD532G7200HC34ADC01
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7200 МГц, CL 34T, тайминги 34-4..
Оперативная память Team T-Create Expert 2x16ГБ DDR5 6000 МГц CTCWD532G6000HC30DC01
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-3..
Оперативная память Team Elite 8ГБ DDR4 SODIMM 3200МГц TED48G3200C22-S01
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52..
Оперативная память Team Elite 2ГБ DDR3 1333 МГц TED32048M1333C9
2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напря..
Оперативная память Silicon-Power XPower Zenith RGB 2x32ГБ DDR5 5600 МГц SP064GXLWU560FDF
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-4..
Оперативная память Silicon-Power XPower Zenith RGB 16ГБ DDR5 6000 МГц SP016GXLWU60AFSF
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-38-38-96, ..
Оперативная память Silicon-Power XPower Turbine 8GB DDR4 PC4-25600 SP008GXLZU320BSA
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В..
Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-25600 SP008GBLFU320X02
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц SP016GBSVU480F02
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR5 4800 МГц SP016GBLVU480F02
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц SP016GBSFU320B02
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Silicon-Power 16GB DDR4 PC4-25600 SP016GBLFU320X02
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Silicon-Power 16GB DDR4 PC4-21300 SP016GBSFU266B02
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 4800 МГц M323R2GA3BB0-CQKOL
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
Оперативная память QUMO 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 QUM4S-8G2666P19
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память QUMO 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 QUM4S-8G2400P16
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память QUMO 4GB DDR4 SODIMM QUM4S-4G2666C19
Оперативная память QUMO 4GB DDR4 SODIMM QUM4S-4G2666C19 - это надежный и бы..
Оперативная память QUMO 4GB DDR4 QUM4U-4G2666C19
Оперативная память QUMO 4GB DDR4 QUM4U-4G2666C19 является отличным выбором ..
Оперативная память QUMO 4GB DDR3 QUM3U-4G1600С11L
Оперативная память является одним из важнейших компонентов компьютера, от к..
48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-3..
Оперативная память Patriot Viper 4 Blackout 2x8GB DDR4 PC4-35200 PVB416G440C8K
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4400 МГц, CL 18T, тайминги 18-26..
Оперативная память Patriot Viper 4 Blackout 2x8GB DDR4 PC4-32000 PVB416G400C9K
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4000 МГц, CL 19T, тайминги 19-21..
Оперативная память Patriot Viper 4 Blackout 2x8GB DDR4 PC4-28800 PVB416G360C8K
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22..
Здесь вы можете выбрать оперативную память, сравнить предложения разных магазинов, с выбором самой памяти вам помогут отзывы и подробные технические характеристики, а выбрать лучшее предложение поможет наш сервис, выбирайте по стоимости, условиям доставки и рассрочки.
Мы собрали всю оперативную память, со всех интернет магазинов Беларуси.