Оперативная память
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQKOL
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, н..
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M393A1K43DB2-CWEBY
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-..
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M393A1K43DB2-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M391A1K43DB2-CWEQY
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-44, н..
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWED0
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напр..
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1G44AB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-23400 M378A1K43EB2-CVF00
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напр..
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-21300 M393A1K43BB1-CTD
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-..
Оперативная память Samsung 8GB DDR3 PC3-12800 M393B1G70QH0-YK0
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-..
Оперативная память Samsung 8GB DDR3 PC3-12800 M393B1G70BH0-YK0
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1..
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 5600 МГц M321R8GA0PB0-CWM
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение ..
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 4800 МГц M321R8GA0BB0-CQKZJ
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40..
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 4800 МГц M321R8GA0BB0-CQK
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 2666 МГц M386A8K40CM2-CTD6Q
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение ..
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40BB4-CWE
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWEBY
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22..
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWE
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-23400 M393A8G40MB2-CVF
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21..
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-21300 M386A8K40BM2-CTD
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19..
Оперативная память Samsung 4GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A5244CB0-CWE
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R4GA3BB0-CWM
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
Здесь вы можете выбрать оперативную память, сравнить предложения разных магазинов, с выбором самой памяти вам помогут отзывы и подробные технические характеристики, а выбрать лучшее предложение поможет наш сервис, выбирайте по стоимости, условиям доставки и рассрочки.
Мы собрали всю оперативную память, со всех интернет магазинов Беларуси.