Оперативная память
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 PC4-21300 SP004GBSFU266N02
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, тайминги 19-19-19, напряжени..
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 PC4-21300 SP004GBLFU266X02
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напр..
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 PC4-21300 SP004GBLFU266N02
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напр..
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 PC4-19200 SP004GBLFU240X02
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 SP004GLSTU160N02
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В..
Оперативная память Silicon-Power 32ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц SP032GBSVU480F02
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
Оперативная память Silicon-Power 32ГБ DDR5 4800 МГц SP032GBLVU480F02
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
Оперативная память Silicon-Power 32ГБ DDR4 SODIMM 2666 МГц SP032GBSFU266X02
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Silicon-Power 32ГБ DDR4 SODIMM 2666 МГц SP032GBLFU266F02
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Silicon-Power 32ГБ DDR4 3200 МГц SP032GBLFU320F02
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц SP016GBSVU560F02
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В..
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR5 5200 МГц SP016GBLVU520F02
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, напряжение 1.1 В..
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц SP016GBSFU320X02
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц SP016GBSFU320B02
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR4 SODIMM 2666 МГц SP016GBSFU266X02
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR4 SODIMM 2666 МГц SP016GBSFU266F02
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR4 3200МГц SP016GBLFU320B02
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Silicon-Power 16GB DDR4 PC4-21300 SP016GBSFU266B02
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Silicon-Power 16GB DDR4 PC4-21300 SP016GBLFU266B02
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, нап..
Оперативная память Silicon-Power 16GB DDR4 PC3-19200 SP016GBSFU240B02
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Samsung M391A4G43BB1-CWEQY
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22..
Оперативная память Samsung 96ГБ DDR5 5600 МГц M321RYGA0PB0-CWM
96 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение ..
Оперативная память Samsung 96ГБ DDR5 4800 МГц M321RYGA0BB0-CQK
96 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение ..
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
Здесь вы можете выбрать оперативную память, сравнить предложения разных магазинов, с выбором самой памяти вам помогут отзывы и подробные технические характеристики, а выбрать лучшее предложение поможет наш сервис, выбирайте по стоимости, условиям доставки и рассрочки.
Мы собрали всю оперативную память, со всех интернет магазинов Беларуси.