Оперативная память
Оперативная память Team T-Force Delta RGB Eco 2x16ГБ 6400 МГц FF2D532G6400HC32ADC01
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-3..
Оперативная память Team T-Force Delta RGB 2x16ГБ DDR5 6400 МГц FF4D532G6400HC40BDC01
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 40T, тайминги 40-4..
Оперативная память Team T-Force Delta RGB 2x16ГБ DDR5 6200 МГц FF4D532G6200HC38ADC01
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6200 МГц, CL 38T, тайминги 38-3..
Оперативная память Team T-Force Delta RGB 2x16ГБ DDR5 6200 МГц FF3D532G6200HC38ADC01
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6200 МГц, CL 38T, тайминги 38-3..
Оперативная память Team T-Create Classic SODIMM 16ГБ DDR4 3200 МГц TTCBD416G3200HC22-S01
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-5..
Оперативная память Team Elite 8ГБ DDR5 5600 МГц TED58G5600C4601
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46-90, н..
Оперативная память Team Elite 8ГБ DDR3 1600МГц TED38G1600C1101
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, н..
Оперативная память Team Delta RGB 2x8GB DDR4 PC4-25600 TF3D416G3200HC16CDC01
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18..
Оперативная память Silicon-Power Xpower Zenith 2x8ГБ DDR4 3200МГц SP016GXLZU320BDC
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.3..
Оперативная память Silicon-Power XPower Zenith 2x32ГБ DDR5 5600 МГц SP064GXLWU560FDG
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-4..
Оперативная память Silicon-Power Xpower AirCool 2x8GB DDR4 PC4-25600 SP016GXLZU320B2A
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.3..
Оперативная память Samsung 96ГБ DDR5 4800 МГц M321RYGA0BB0-CQK
96 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение ..
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWEBY
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22..
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-23400 M393A8G40MB2-CVF
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21..
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M391A4G43AB1-CWE
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4G40AB3-CWE
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22..
Оперативная память Samsung 32GB DDR3 PC3-12800 M386B4G70DM0-YK0
32 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11..
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M391A2K43DB1-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память QUMO 8GB DDR3 SODIMM PC3-12800 QUM3S-8G1600C11L
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В..
Оперативная память QUMO 8GB DDR3 PC3-12800 QUM3U-8G1600C11R
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-30, н..
Оперативная память QUMO 8GB DDR3 PC3-10600 (QUM3U-8G1333C9)
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В..
Оперативная память QUMO 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 QUM3S-4G1600C11L
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-30..
Оперативная память QUMO 4GB DDR3 SODIMM PC3-10600 QUM3S-4G1333C9
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В..
Оперативная память QUMO 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (QUM3S-4G1600C11)
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T..
Здесь вы можете выбрать оперативную память, сравнить предложения разных магазинов, с выбором самой памяти вам помогут отзывы и подробные технические характеристики, а выбрать лучшее предложение поможет наш сервис, выбирайте по стоимости, условиям доставки и рассрочки.
Мы собрали всю оперативную память, со всех интернет магазинов Беларуси.