Оперативная память
Оперативная память Silicon-Power Xpower AirCool 2x8GB DDR4 PC4-25600 SP016GXLZU320B2A
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.3..
Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 SP004GBSFU266X02
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR5 5200 МГц SP016GBLVU520F02
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, напряжение 1.1 В..
Оперативная память Silicon-Power 8ГБ DDR4 3200МГц SP008GBSFU320B02
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M391A4G43AB1-CWE
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-23400 M393A4K40DB2-CVF
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21..
Оперативная память Samsung 32GB DDR3 PC3-12800 M386B4G70DM0-YK0
32 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11..
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 5600 МГц M323R2GA3DB0-CWM
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В..
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M391A2K43DB1-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K40DB3-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение ..
Оперативная память QUMO 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 QUM3S-4G1600C11L
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-30..
Оперативная память QUMO 4GB DDR3 PC3-12800 QUM3U-4G1600K11L
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В..
Оперативная память QUMO 4GB DDR3 PC3-12800 QUM3U-4G1600C11L
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В..
Оперативная память QUMO 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-6400 (QUM2S-2G800T6)
2 ГБ, 1 модуль DDR2 SO-DIMM, частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В..
Оперативная память QNAP 32ГБ DDR4 3200 МГц RAM-32GDR4T0-UD-3200
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Patriot Signature Premium Line 16ГБ DDR5 5600 МГц PSP516G560081H1
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46-90, ..
Оперативная память Patriot Signature Line 8GB DDR4 PC4-21300 PSD48G266681
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, н..
Оперативная память Patriot 4GB DDR4 PC4-19200
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Netac Shadow RGB 2x8GB DDR4 PC4-25600 NTSRD4P32DP-16E
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20..
Оперативная память Netac Shadow RGB 2x16ГБ DDR5 4800 МГц NTSRD5P48DP-32S
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-4..
Оперативная память Micron 16GB DDR4 PC4-25600 MTA18ASF2G72PDZ-3G2E1
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22..
Оперативная память Micron 16GB DDR4 PC4-23400 MTA18ASF2G72PZ-2G9J3
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 2T, тайминги 21-..
Оперативная память Lenovo 32ГБ DDR4 3200 МГц 4X77A77495
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Lenovo 32GB DDR4 PC-23400 4ZC7A08709
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 19T, тайминги 19..
Оперативная память Lenovo 16GB DDR4 PC4-23400 4ZC7A08708
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21..
Здесь вы можете выбрать оперативную память, сравнить предложения разных магазинов, с выбором самой памяти вам помогут отзывы и подробные технические характеристики, а выбрать лучшее предложение поможет наш сервис, выбирайте по стоимости, условиям доставки и рассрочки.
Мы собрали всю оперативную память, со всех интернет магазинов Беларуси.