Оперативная память
Оперативная память TerraMaster 8ГБ DDR4 SODIMM 2666 МГц A-SRAMD4-8G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц..
Оперативная память Team Vulcan Z 2x8GB DDR4 PC4-25600 TLZGD416G3200HC16CDC01
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18..
Оперативная память Team T-Force Xtreem 2x16ГБ DDR5 8000 МГц FFXD532G8000HC38DDC01
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 8000 МГц, CL 38T, тайминги 38-4..
Оперативная память Team T-Force Vulcan Z 2x16GB DDR4 PC4-25600 TLZGD432G3200HC16FDC01
32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-2..
Оперативная память Team Elite 8GB DDR4 PC4-21300 TED48G2666C1901
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, н..
Оперативная память Silicon-Power XPower Zenith RGB 32ГБ DDR5 5600 МГц SP032GXLWU560FSF
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, ..
Оперативная память Silicon-Power XPower Turbine RGB 16GB DDR4 PC4-25600 SP016GXLZU320BSB
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В..
Оперативная память Silicon-Power XPower Turbine 8GB DDR4 PC4-28800 SP008GXLZU360BSA
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В..
Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-25600 SP008GBLFU320X02
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-21300 SP008GBLFU266X02
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напр..
Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 SP008GLSTU160N02
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В..
Оперативная память Samsung 96ГБ DDR5 5600 МГц M321RYGA0PB0-CWM
96 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение ..
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-21300 M393A1K43BB1-CTD
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-..
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWE
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 4800 МГц M323R4GA3BB0-CQK
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4K40DB3-CWEBY
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22..
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-23400 M393A4K40DB2-CVF
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21..
Оперативная память QUMO QUM4U-16G2666N19
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память QUMO 32ГБ DDR5 4800 МГц QUM5U-32G4800N40
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, ..
Оперативная память QNAP RAM-8GDR4A1-UD-2400
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, напряжение 1.2 В..
Оперативная память QNAP RAM-4GDR4A0-SO-2666
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В..
Оперативная память QNAP RAM-16GDR4ECP0-UD-2666
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В..
Оперативная память PNY XLR8 Gaming Epic-X RGB 16GB DDR4 PC4-25600 MD16GD4320016XRGB
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В..
Оперативная память Patriot Viper Venom RGB 2x16ГБ DDR5 6200МГц PVVR532G620C40K
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6200 МГц, CL 40T, тайминги 40-4..
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-3..
Здесь вы можете выбрать оперативную память, сравнить предложения разных магазинов, с выбором самой памяти вам помогут отзывы и подробные технические характеристики, а выбрать лучшее предложение поможет наш сервис, выбирайте по стоимости, условиям доставки и рассрочки.
Мы собрали всю оперативную память, со всех интернет магазинов Беларуси.