Оперативная память
Оперативная память Thermaltake Toughram Z-One 8ГБ DDR4 3200 МГц R010D408GX1-3200C16S
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, н..
Оперативная память TerraMaster 8ГБ DDR4 SODIMM 2666 МГц A-SRAMD4-8G
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц..
Оперативная память Team T-Force Vulcan 2x16ГБ DDR5 6400 МГц FLBD532G6400HC40BDC01
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 40T, тайминги 40-4..
Оперативная память Team T-Create Classic SODIMM 16ГБ DDR5 5600 МГц CTCCD516G5600HC46A-S01
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45-9..
Оперативная память Team Elite 8GB DDR4 PC4-21300 TED48G2666C1901
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, н..
Оперативная память Team Delta RGB 2x8GB DDR4 PC4-25600 TF3D416G3200HC16CDC01
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18..
Оперативная память Synology 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 D4ES01-4G
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Synology 4GB DDR4 PC4-21300 D4NE-2666-4G
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В..
Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-21300 SP008GBLFU266B02
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напр..
Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 SP008GLSTU160N02
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В..
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц SP016GBSVU480F02
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
Оперативная память Silicon-Power 16ГБ DDR5 4800 МГц SP016GBLVU480F02
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В..
Оперативная память Samsung 96ГБ DDR5 5600 МГц M321RYGA0PB0-CWM
96 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение ..
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-21300 M393A1K43BB1-CTD
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-..
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 4800 МГц M321R8GA0BB0-CQKZJ
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40..
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-23400 M393A8G40MB2-CVF
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21..
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R4GA3BB0-CWM
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В..
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В..
Оперативная память Samsung 128GB DDR4 PC4-25600 M386AAG40AM3-CWEZY
128 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 2..
Оперативная память QUMO 8GB DDR4 SODIMM PC4-19200 QUM4S-8G2400P16
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В..
Оперативная память QUMO 8GB DDR3 PC3-10600 (QUM3U-8G1333C9)
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В..
Оперативная память QUMO 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (QUM3S-4G1600C11)
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T..
Оперативная память QUMO 4GB DDR-III PC-10660 QUM3U-4G1333K9
Оперативная память QUMO 4GB DDR-III PC-10660 QUM3U-4G1333K9 – это превосход..
Оперативная память QUMO 2GB DDR2 SO-DIMM QUM2S-2G800T6
Обзор товара "Оперативная память QUMO 2GB DDR2 SO-DIMM QUM2S-2G800T6": Есл..
Здесь вы можете выбрать оперативную память, сравнить предложения разных магазинов, с выбором самой памяти вам помогут отзывы и подробные технические характеристики, а выбрать лучшее предложение поможет наш сервис, выбирайте по стоимости, условиям доставки и рассрочки.
Мы собрали всю оперативную память, со всех интернет магазинов Беларуси.